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   稳定旋转的支架带动晶片表面的气体分子形成湍流图案，对提高退火的均匀性有重要作用。后一种工作形式虽然在温度测控精度和退火均匀性上有很大优势，但是在结构设计和控制系统设计上非常复杂，所以其价格相当昂贵，很多半导体厂商望而却步。目前国内只有厂惭滨颁等高端滨颁生产线在使用，其他滨颁厂商普遍采用前一种快速退火炉系统。

  在国外，由于半导体工业的快速发展，真空回火炉系统的研究起步较早。世界上第一个实用的快速退火炉系统由美国最大的半导体制造商瓦里安公司于1981年推出。目前国外快速退火炉的主要生产和研究单位是美国的MPT、应用材料、AG、马特森等公司；德国的AST，法国的JIPELEC等。这些公司一般采用光辐射加热方式。

  主要有两种技术:一种是以美国AG、MPT、AST等公司为代表的单点测温技术，另一种是以线光源(灯管)为热源的双面加热方式，利用红外热辐射加热原理直接加热硅片实现。另一个是美国应用材料公司独有的多点侧浸技术。热源为点光源(灯泡)，单面加热方式。球形灯泡发出的光通过高透射率的应时窗进入反应室，加热硅片支撑环上的硅片。温度信号的侧检测由多个响应时间非常快的红外探头实时检测，加热过程中晶圆高速旋转，使得晶圆表面与反应气体的接触几率几乎相同。