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    气体在外加射频场的作用下电离成相应的等离子体，根据射频施加频率的不同可分为RF-PECVD和VHF-PECVD，其中RF-PECVD的频率一般为13.56MHz，VHF-PECVD的频率一般在30-300MHz之间。
      但是高频场很容易导致更多非均匀源的出现，产生驻波、奇点等效应。薄膜表面容易脱落或出现条纹，使薄膜的均匀性变差。另外，薄膜在很高频率下的沉积速率会大大增加，不利于沉积过程中薄膜厚度的精确控制，薄膜厚度的增加也会导致透过率的降低。

      由于射频与电子和气体分子的碰撞几率正相关，在一定范围内提高射频会加快反应气体的分解速率，在短时间内产生大量的反应基团，可以提高薄膜的沉积速率。另一方面，高频场下腔室内电子浓度的增加，较低的反应温度和DC自偏压降，可以降低等离子体的电离度和轰击效应，有助于生成更多的反应前驱体，从而保证薄膜的高质量生长，薄膜缺陷更少，致密性更好，电导率更高。