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LOC 封装石墨模具（lead onchip）LSI 封装石墨模具技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作 有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装石墨模具中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
　　LQFP 封装石墨模具（low profile quadflat package）薄型 QFP。指封装石墨模具本体厚度为1．4mm 的 QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。L－QUAD封装石墨模具
　　陶瓷 QFP 之一。封装石墨模具基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装石墨模具的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装石墨模具，在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了208 引脚（0．5mm 中心距）和160 引脚（0．65mm 中心距）的 LSI 逻辑用封装石墨模具，并于1993 年10月开始投入批量生产。
　　MCM封装石墨模具多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装石墨模具。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
　　MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。MFP 封装石墨模具（ mini flatpackage）小形扁平封装石墨模具。塑料SOP 或 SSOP 的别称（见 SOP 和 SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。MQFP 封装石墨模具 （metric quad flatpackage）按照 JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对 QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为0．65mm、本体厚度 为3．8mm～2．0mm的标准 QFP（见 QFP）。
　　MQUAD 封装石墨模具 （metal quad）美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装石墨模具。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2．5W～2．8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。MSP 封装石墨模具 （mini squarepackage）
　　QFI 的别称（见 QFI），在开发初期多称为 MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。

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