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单晶炉进行以下操作；
      1.清炉、装炉：清洗整个炉室内壁及加热线圈、反射器、晶体夹持器、上轴、下轴，调整加热线圈和反射器的水平及与上轴、下轴的对中；将多晶料夹具固定到多晶料尾部的刻槽处，然后将其举返设备到上轴末端，进行多晶料的对中；将籽晶装入籽晶夹头上，然后将其设备到下轴顶端；封闭各个炉门，拧紧各紧固螺栓； 
      2.抽空、充气、预热：打开真空泵及抽气管道阀门，对炉室进行抽真空，真空度到达所要求值时，封闭抽气管道阀门及真空泵，向炉膛内快速充入氩气；当充气压力到达相对压力 1bar-6bar时，中止快速充气，改用慢速充气，一起打开排气阀门进行流氩；充气完毕后，对多晶硅棒料进行预热，预热运用石墨预热环，运用电流档，预热设定点25-40％，预热时间为10-20分钟；     3.化料、引晶：预热完毕后，进行化料，化料时转入电压档，发生器设定点在40-60％；多晶料熔化后，将籽晶与熔硅进行熔接，熔接后对熔区进行整形，引晶； 
      4.成长细颈：引晶完毕后，进行细颈的成长，细颈的直径在2-6mm，长度在30-60mm； 
      5.扩肩及氮气的充入：细颈成长完毕后，进行扩肩，缓慢削减下速至3±2mm/min，一起随着扩肩直径的增大不断削减下转至8±4rpm，别的还要缓慢减小上转至1±0.5rpm；为了避免高压电离，在氩气保护气氛中充入必定份额的氮气，氮气的掺入份额相对于氩气的 0.01％-5％；
      6. 转肩、坚持及夹持器开释：在扩肩直径与单晶坚持直径相差3-20mm时，扩肩的速度要放慢一些，进行转肩，直至到达所需直径，单晶坚持，等径坚持直径在75mm-220mm，单晶成长速度1mm/分-5mm/分，在扩肩过程中，当单晶的肩部单晶夹持器的销子的距离小于2mm时开释夹持器，将单晶夹住； 
      7.收尾、停炉：当单晶拉至尾部，开始进行收尾，收尾到单晶的直径到达Φ10-80mm，将熔区摆开，这时使下轴持续向下运动，上轴改向上运动，一起功率坚持在40±10％，对晶体进行缓慢降温。一种直拉单晶成长设备，归于半导体成长设备技术领域。它包含液压伺服系统调理坩埚杆；在加热控制单元中，三相平衡变压器、滤波电容器、电抗器和电阻器组合连接而成，与谐波源并联；它还具有变频充气设备。本发明克服现有的坩埚轴升降驱动设备不能有用的确保出产控制稳定性及精确度不行精确缺乏，克服现有的加热控制单元不能消除谐波的缺乏，一起也克服现有的坩埚轴升降驱动设备不能有用的确保出产控制稳定性及精确度不行精确缺乏。